Tantaali ei saa töödelda tavaliste metallide töötlemise tavaliste meetoditega. Üldjuhul on esialgne protsess sepistamine, töötlemine ja kuumtöötlemine ning lamedate toorikute või ümmarguste väikeste ja keskmise suurusega toorikute valmistamiseks kasutatakse kahte haamri- ja stantsimismeetodit.
Tühi
Tantaali ei saa töödelda tavaliste metallide töötlemise tavaliste meetoditega. Üldiselt on esialgne protsess sepistamine, töötlemine ja kuumtöötlus.
Haamerdamist ja stantsimist kasutatakse lamedate toorikute või ümmarguste väikese ja keskmise suurusega toorikute valmistamiseks. Erinevalt tavalistest metallidest ei saa tantaali kuumtöödelda. Tantaali ümberkristallimise temperatuur ületab 1000 °C. Kuumutamisel tekib liigne oksüdatsioon isegi üldise katva kaitsekihi valmistamisel. Veelgi tõsisem on see, et kui tantaali puutub kokku nii kõrgel temperatuuril, ei toimu tantaali pinnal mitte ainult liigset oksüdatsiooni, vaid ka hapnik tungib maatriksi sees olevate aatomite vahele, muutes tantaali rabedaks. Mitte ainult hapnik, vaid isegi lämmastik, süsinik ja vesinik võivad tantaali rabedaks muuta. Ülaltoodud põhjustel tantaali üldjuhul kuumtöödelda ei tehta. Kui termiline töötlemine on vajalik, tuleb see katta kaitsekattega või läbi viia inertgaasi atmosfääris.
kuumtöötlus
Tantaali ja hapniku aktiivse reaktsiooni tõttu on vaja atmosfääri vältida isegi siis, kui õhku on vähe.
kuumtöötlus. Seetõttu toimub peaaegu kogu lõõmutamine kõrgvaakumis ja küttekolde õhutihedus peab olema väga kõrge. Tavaliselt on tantaali kuumtöötlustemperatuur tavaliselt vahemikus 950 kuni 1300 kraadi. Selles temperatuurivahemikus tantaali ja tavaliselt kasutatavate tantaalisulamite vahel faasimuutust ei toimu. Kuumtöötlust kasutatakse ainult lõõmutamiseks, seega pole küttetemperatuur ja jahutuskiirus olulised. Täieliku ümberkristallimise saavutamiseks on kuumtöötlemise aeg veidi pikem.
Kaubanduslikult toodetud tantaal on väga kõrge puhtusastmega. Terad muutuvad lõõmutamisel väga suureks. Kristalliterade suurus määratakse külmtöötlemise, puhtuse, temperatuuri ja protsessi etappide järgi. Seetõttu on temperatuuri reguleerimine ja protsessi juhtimine olulised vahendid kristallide suuruse määramiseks.
Tantaal, erinevalt paljudest teistest metallidest, peab olema enne kuumtöötlemist väga puhas. Kui seda väga hästi ei puhastata, tekib vesiniku, hapniku, lämmastiku ja süsiniku põhjustatud pinnasaaste ning see muutub rabedaks (kõvenenud) struktuuriks. Kuna vesinik, hapnik, lämmastik ja süsinik on tantaali lõõmutamise temperatuurivahemikus väga aktiivsed pealetükkivad elemendid, siis kui need on nende elementidega saastunud, ei saa neist vabaneda kuidagi peale ümbersulatamise.